Óptica

Dr. Ismael Cosme Bolaños

Investigador Titular "A"
Investigador Nacional Nivel 1

Cubículo: 8221
Teléfono: +52 (222) 266 3100 ext. 8221
Correo electrónico: ismaelcb@inaoep.mx 

Líneas de Investigación:

1. Materiales avanzados nanoestructurados depositados por plasma.
2. Caracterización opto-electrónica de interfaces de uniones de materiales.
3. Fabricación y caracterización opto-electrónica de dispositivos fotovoltaicos híbridos.
4. Optoelectrónica.

Información Curricular:

1. Doctorado en Ciencias, especialidad en Electrónica. 
   "Study of a-GeSi:H materials deposited by PECVD at lowtemperatures (Td<200 °C) for device applications." 
   INAOE, Sta. Ma. Tonantzintla, Puebla, México, 2013.
2. Maestría en Ciencias, especialidad en Electrónica. 
   "Estudio experimental de ruido en películas termo-sensor basadas en silicio-germanio depositadas por plasma con aplicación en micro-bolómetros." 
   INAOE, Sta. Ma. Tonantzintla, Puebla, México, 2008.

PATENTES:

• “Celda solar basada en películas semiconductoras orgánicas e inorgánicas”
  I. Cosme, A. Kosarev, A. Torres. Al.
  TITULO DE PATENTE: 365084 (9 de mayo 2019)
• “Celda fotovoltaica con base en películas depositadas por plasma”
  I. Cosme, A. Kosarev y A. Adamo.
  TÍTULO DE PATENTE: 361424 (16 de noviembre de 2018)
• "Dispositivo fotoeléctrico híbrido de heterounión"
  I. Cosme, A. Kosarev, H. Martínez, S. Mansurova, A. S. Abramov, D. A. Andronikov, E. I. Terukov.
  Solicitud: MX/a/2016/008619
  Folio: MX/E/2016/044791.
   

Publicaciones Recientes:

• Analytical study of hybrid PEDOT:PSS/Si/PFN heterojunction interfaces for doping-free applications
  J. C. Carrillo-Sendejas, R. Reyes-Molina, S. Mansurova, Y. Kudriavtsev, O. Baldovino-Pantaleón, A. J. Olivares, I. Cosme.
  Materials Science in Semiconductor Processing, 155, (2023), 107240-1-107240-10. doi.10.1016/j.mssp.2022.107240.
• In-depth study of the effect of annealing temperature on the structural, chemical, and optical properties of MAPI thin films prepared by a one-step deposition method
  B. Montaño, J. J. Diaz, I. Koudriavtsev, I. Cosme, N. Korneev, and S. Mansurova.
  Journal of Materials Science Materials in Electronics, 34, 12, (2023), 1016-1-1016-16. doi: 10.1007/s10854-023-10437-3.
• Improved functionality of Poly (3,4-Ethylenedioxythiophene): Poly (Styrenesulfonate)/HeptaCoordinated organotin complex films via graphene. Applied to Organic Solar Cell Fabrications
  Sánchez Vergara, M. E., Zubillaga Serrano, R. I., Hamui, L., Galván Hidalgo, J. M., Cosme, I., & Gómez, E.
  Frontiers in Materials, 9, (2022), 860859-1–860859-15. doi.10.3389/fmats.2022.860859.
  Study of Si and Ge Atoms Termination Using H-Dilution in SiGe:H Alloys Deposited by Radio Frequency (13.56 MHz) Plasma Discharge at Low Temperature
• Ismael Cosme, Andrey Kosarev, Saraí Zarate-Galvez, Hiram E Martinez, Svetlana Mansurova, Yuri Kudriavtsev.
  Materials, 13, 5, (2020), 1045-1-1045-13. doi.10.3390/ma13051045.
• Nanostructural Modification of PEDOT:PSS for High Charge Carrier Collection in Hybrid Frontal Interface of Solar Cells
  A. J .Olivares, I. Cosme, M. E. Sanchez-Vergara, S. Mansurova, J. C. Carrillo, H. E. Martinez, A. Itzmoyotl.
  Polymers, 11, 6, (2019), 1034-1-1034-17. doi:.10.3390/polym11061034.
• Differences between (103) and (002) X-ray diffraction characteristics of nanostructured AZO films deposited by RF magnetron sputtering
  I. Cosme, S. Vázquez-y-Parraguirre, O. Malik, S. Mansurova, N. Carlos, A. Tavira, G. Ramirez-Cruz, Y. Kudriavstev.
  Surface & Coatings Technology, 372, (2019), 442-450. doi:10.1016/j.surfcoat.2019.05.033.
• Synthesis, chemical, theoretical studies, electrochemical, electrical and optical characterization of novel oligomer 2,2’-((1E,1’E)(2,5-bis(octyloxy)-1,4-phenylenevinylene)bis(6-(E)-2-(vinylquinolin))quinoline for OLED applications
  A. V. Sánchez-Mendoza, V. G. Ibarra-García, J. R. Velázquez-Hernández, O. J. Hernández-Ortíz, J. Carrillo, L. Palacios-Huerta, I. Cosme, A. Alvarez-Hernandez, K. Alemán-Ayala, R. A. Vázquez-García.
  Journal of Materials Science Materials in Electronics, 30, (2019), 19718–19730. doi:10.1007/s10854-019-02322-9.